由于NMOS其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分用到的是NMOS。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。寄生二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了，虽然4V就导通了，但是为了完全导通电压在其可承受范围应该尽量大一些。
2.MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
下载图为P沟道场效应管，下右图为N沟道场效应管，二者的区别有两点：
一是栅源电压VGS方向正好相反。(］P沟道场效应管要导通，栅极CJ电压必须低于源极S电压，且低到某种程度；而N沟道场效应管要导通，栅极G电压必须高于源极S电压，且高到某种程度。可见．P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。
二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极D，而N沟道场效应管的电流方向是由漏极D流向源极S。
扩展：n沟道增强型场效应管 / p沟道增强型场效应管 / 增强型场效应管
我们以熊猫L32A7031液晶彩电主电源中的场效应管为例，介绍其具体识别方法与工作原理。（］
1．该电源场效应管的外形及引脚分配
图8为熊猫L32A7031液晶彩电主电源的冷端电路图，该机无副电源，所以只要接通交流市电，主电源就工作，即主电源不受CPU控制。开机、待机是CPU通过STB端子控制IC10、IC5、IC6的导通和截止来实现的。
IC10实际上是一只P沟道场效应管，外形如图9所示，电气符号如图10所示。
IC5看似一只8脚贴片集成块，实际上也是一只P沟道场效应管。其①、②、③脚为源极S，④脚为栅极G．⑤、⑥、⑦、⑧脚为漏极D。实物如图11所示，电气符号如图12所示。
IC6外形与IC5-样，实际上它是一只N沟道场效应管，其①、②、③脚为源极S，④脚为栅极G，⑤、⑥、⑦、⑧脚为漏极D，实物如图13所示，电气符号如图14所示。
可见，尽管IC10与IC5形状、大小、引脚数相差甚远，但都是p沟道场效应管；而IC5与IC6虽然形状大小，引脚数完全相同，但前者是P沟道场效应管，后者却是N沟道场效应管。
2．该电源中三只lC（两种场效应管）的工作原理
下面分别介绍上述三只场效应管在待机和开机两种情况下的工作原理。
(1)待机时，CPU置STB端子为0V关机电平，Q10截止。
1)D8整流出5V直流电压，为5VSB端子供电。
5VSB端子有5V电压供CPU使用。
2)D10整流出约24V直流电压，由于Q10截止，IC10（p沟道场效应管）的栅极G得到约24V的高压，与源极S电压24V相同，所以栅源电压VGS为OV，IC10截止，其漏极D的电压为0V，即24V端子的电压为OV。
3)D9整流出约12V直流电压，由于Q10截止，使P沟道场效应管IC5栅极G的电压接近12V，与源极S的电压12V相同，即电压VGS为0V，与源极S的电压12V相同，即栅源电压VGS为0V，IC5截止，其漏极D的电压为0V，即12V端子的电压为OV。
4)D8整流出5V电压，由于12V端子电压为0V，使N沟道场效应管IC6的栅极G电压为OV，与源极s的电压OV相同，即电压VGS为OV，IC6截止，源极S电压仍为0V，故+5V端子电压为OV。
(2)开机时（二次开机）。
此时CPU送给STB端子开机高电平，Q10饱和导通，端子有5V电压供CPU使用。
1)D10整流出约24V左右电压，由于Q10饱和导通，使p沟道场效应管IC10的栅极G得到约4.2V的低电平，比源极S电压24V低10多伏，IC10导通，其漏极D有24V电压输出，即24V端子有24V左右的电压。
2)D9整流出约12V直流电压，由于Q10饱和导通，使P沟道场效应管IC5的栅极G得到约0.6V低电平，比源极S电压12V低很多，故IC5导通，其漏极D有12V左右电压输出，即12V端子有12V左右电压。
3)D8整流出5V电压，由于12V端子有12V电压，使N沟道场效应管IC6的栅极G得到约12V高电压，比源极S电压高很多，IC6导通，其源极有5V电压输出，即+5V端子有5V电压。
扩展：场效应管工作原理 / mos场效应管工作原理 / 场效应管的工作原理