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模拟电子技术基础第四版华成英课后习题答案


时间: 2015-8-27 分类: 作业习题  【来自ip: 14.154.198.184 的 热心网友 咨询】 手机版
 问题补充 如上
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1楼
第一章 常用半导体器件
  自 测 题
  一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
  (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
  (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
  (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
  (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( )
  (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
  (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
  解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
  二、选择正确答案填入空内。
  (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。
  A. 变窄B. 基本不变C. 变宽


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